内容摘要：芯片，是人类科技的精华，也被称为现代工业皇冠上的明珠。芯片的基本组成是晶体管。晶体管的基本工作原理其实并不复杂，但在指甲盖那么小的面积里，塞入数以百亿级的晶体管，就让这件事情不再简单，甚至算得上是人类

芯片
，晶圆是何制人类科技的精华，也被称为现代工业皇冠上的造出明珠 。

芯片的晶圆基本组成是晶体管
。晶体管的何制基本工作原理其实并不复杂
，但在指甲盖那么小的造出面积里，塞入数以百亿级的晶圆晶体管，就让这件事情不再简单，何制甚至算得上是建站模板造出人类有史以来最复杂的工程 ，没有之一 。晶圆

接下来这段时间，何制小枣君会通过一系列文章，造出专门介绍芯片的晶圆制造流程 。

今天这篇
，何制先讲讲晶圆制造
 。造出

主要阶段和分工

介绍晶圆之前 ，小枣君先介绍一下芯片制造的一些背景知识。

芯片的制造，需要经过数百道工序。我们可以先将其归纳为四个主要阶段——芯片设计、服务器租用晶圆制备 、芯片制造（前道）
、封装测试（后道）。

我们经常会听说Fabless、Foundry、IDM等名词。这些名词 ，和芯片行业的分工有密切关系 。

通常来说，行业里有些企业
，只专注于芯片的设计 。芯片的制造
、封装和测试 ，云计算都不做 。这些企业，就属于Fabless企业，例如高通、英伟达、联发科、（以前的）华为等
 。

也有些企业，专门负责生产芯片，没有自己品牌的芯片。这些企业，就属于Foundry，晶圆代工厂
。

最著名的高防服务器Foundry
，当然是我国台湾省的台积电。中芯国际（SMIC）、联华电子（UMC）、华虹集团等，也属于Foundry。

芯片制造的难度比芯片设计还高。我们国内很多企业都具备先进制程芯片的设计能力，但找不到Foundry把芯片造出来。所以，通常说的“卡脖子” ，模板下载就是指的芯片制造这个环节。

Foundry生产出来的芯片 ，一般叫裸片 。裸片是没法直接用的，需要经过封装、测试等环节 。专门做封装和测试的厂家，就是OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Test ，外包半导体封装与测试）。源码库

当然，有的晶圆厂自己也有自己的封测厂，但通常不如OSAT灵活好用 
。业界比较知名的OSAT玩家有：日月光（ASE） 、长电科技 、联合科技（UTAC） 、Amkor等。

最后就是IDM  。

IDM是Integrated Device Manufacturer（整合元件制造商）的简称。有些公司 ，既做芯片设计 ，又做晶圆生产，还做封测，端到端全部都做
。这种企业 ，就叫做IDM。

全球具备这种能力的企业，不是太多，包括英特尔 、三星、德州仪器 、意法半导体等
。

IDM看上去很厉害，什么都能干。但实际上，芯片这个产业过于庞大 ，精细化分工是大势所趋
。Fabless+Foundry模式，术业有专攻
，在专业性
、效率和收益方面  ，都更有优势。

AMD曾经也是IDM ，但后来改弦更张
，也走轻资产的Fabless模式了 。它的晶圆厂被剥离出去后，摇身一变，成了全球前五的晶圆代工厂 ：格罗方德（GlobalFoundries） 。

晶圆制备

好了 
，接下来 ，我们来看具体的制造过程。

首先，还是从最基本的晶圆制备说起 。

这个
，就是晶圆

我们经常说
 ，芯片是沙子造的。其实，主要是因为沙子里面，含有大量的硅（Si）元素
。

硅是地壳内第二丰富的元素，仅次于氧

沙子里有硅 ，但是纯度很低 ，而且是二氧化硅（SiO2）。我们不能随便抓一把沙子就拿来提炼硅 。通常，会选用含硅量比较高的石英砂矿石。

高纯石英砂矿石

第一步
 ，脱氧、提纯。

将石英砂原料放入熔炉中
，加热到1400℃以上的高温（硅的熔点为1410℃），与碳源发生化学反应，就可以生成高纯度（98%以上）的冶金级工业硅（MG-Si）。

冶金级工业硅

随后，通过氯化反应和蒸馏工艺，进一步提纯 ，得到纯度更高的硅。

硅这个材料 ，不仅可以用于半导体芯片制造，也可以用于光伏行业（太阳能发电）。

在光伏行业 ，对硅的纯度要求是99.9999%到99.999999%，也就是4~6个9 ，叫（SG-Si） 。

光伏板

在半导体芯片行业 ，对硅的纯度要求更加变态 ，是99.9999999%到99.999999999% ，也就是9~11个9 。这种用于半导体制造的硅，学名电子级硅（EG-Si） ，平均每一百万个硅原子中最多只允许有一个杂质原子
。

第二步
，拉单晶硅（铸锭）

这种经过提纯之后的硅，是多晶硅。接下来，还需要把它变成单晶硅。

之前介绍半导体发展简史的时候，小枣君给大家解释过单晶硅和多晶硅 。

简单来说，单晶硅具有完美的晶体结构 ，有非常好的性能。多晶硅 ，晶粒大、不规则 、缺陷多，各种性能都相对差。所以 ，芯片这种高端货
，基本都使用单晶硅。光伏那边
，可以用多晶硅
。

将多晶硅变成单晶硅，目前主流的制法  ，是柴克拉夫斯基法（也就是直拉法）。

首先，加热熔化高纯度多晶硅 ，形成液态的硅
。

规模庞大的单晶熔炉

然后
，将一条细小的单晶硅作为引子（也叫做硅种、籽晶） ，伸入硅溶液。

接着 ，缓慢地向上旋转提拉
。被拉出的硅溶液，因为温度梯度下降，会凝固成固态硅柱 。

在硅种的带领下，离开液面的硅原子凝固后都是“排着队”的 ，也就变成了排列整齐的单晶硅柱。

（注意 ，拉的速度不太一样 。最开始，是以6mm/分钟的速度，拉出10cm左右的固态硅柱。这主要是因为，晶体刚刚形成时，会因为热冲击，晶相不稳定 ，容易产生晶体缺陷 。拉出10cm长度之后，就可以减速了 ，变成缓慢提拉 。）

旋转拉起的速度以及温度的控制，对晶柱品质有很大的影响 。硅柱尺寸愈大时
，拉晶对速度与温度的要求就更高
。

最后 ，会拉出一根直径通常为30厘米 ，长度约1-1.5米的圆柱形硅柱。这个硅柱，就是晶棒，也叫做硅锭（呵呵 ，和“龟腚”、“规定”同音）。

第三步
，晶圆切割 。

拉出来的硅锭，要截去头和尾 ，然后切成一片片特定厚度的薄片（硅片）。

目前主流的切片方式 ，是采用带有金刚线的多线切割机，也就是用线上固定有金刚石颗粒的钢丝线，对硅段进行多段切割
。这种方法的效率高、损耗少
。

金刚线锯

切片有时候也会采用内圆锯
。内圆锯则是内圆镀有金刚石的薄片
，通过旋转内圆薄片切割晶锭。内圆锯的切割精度和速度相对较高，适用于高质量晶圆的切割。

内圆锯

硅片非常脆弱，所以切割过程也需要十分小心 ，要严格控制温度和振动。切割时，需要使用水基或油基的切割液，用来冷却和润滑
，以及带走切割产生的碎屑
。

第四步 ，倒角、研磨、抛光
。

切割得到的硅片，被称为“裸片”，即未经加工的“原料晶圆” 。

裸片的表面会非常粗糙，而且会有残留切割液和碎屑。因此，需要倒角、研磨、抛光、清洗等工艺，完成切割后的处理，最终得到光滑如镜的“成品晶圆（Wafer）” 。

倒角，就是通过倒角机，把硅片边缘的直角边磨成圆弧形。这是因为高纯度硅是一种脆性很高的材料，这样处理可以降低边缘处发生崩裂的风险。

研磨，就是粗研磨，使晶圆片表面平整、平行，减少机械缺陷。

研磨后 ，晶圆会被置于氮化酸与乙酸的混合溶液中进行蚀刻，以去除表面可能存在的微观裂纹或损伤。完成蚀刻后，晶圆会再经过一系列高纯度的RO/DI水浴处理，以确保其表面的洁净度。

晶圆在一系列化学和机械抛光过程中抛光，称为CMP（Chemical Mechanical Polish，化学机械抛光）。

其中，化学反应阶段 ，抛光液中富含的化学成分，与待处理的晶圆材料发生化学反应 ，生成易于清除的化合物，或使材料表面软化 。

机械研磨阶段，借助抛光垫和抛光液中的磨粒，对晶圆材料进行机械性的磨削，从而去除在化学反应阶段生成的化合物，以及材料表面的其他杂质。

在CMP工艺中，首先需要将待抛光的晶圆固定在抛光机的晶圆夹具上
。接着，抛光液被均匀地分配在晶圆和抛光垫之间 。然后，抛光机通过施加适当的压力和旋转速度，对晶圆进行抛光。

CMP是芯片制造过程中的一个常见工序（后面还会再用到） 。它的核心目标是实现全局平坦化（Global Planarization），即在纳米级精度下消除晶圆表面的高低差异（如金属层 、介质层的不均匀性） ，为后续光刻等工艺做好准备。

第五步
，清洗。

抛光完成之后，晶圆需要经过彻底清洗 
，去除残留的抛光液和磨粒 。

清洗通常包括酸、碱
、超纯水冲洗等多个步骤
，每一步同样也要求在洁净室环境下进行 ，以避免任何新的杂质附着在晶圆表面上。

第六步，检测和分类。

抛光之后得到的晶圆，也叫抛光片。

最后，使用光学显微镜或其他检测设备对抛光效果进行严格检查，确保晶圆的表面平坦度、材料去除量
、厚度、表面缺陷等指标全都符合预期要求。

检测合格的晶圆，将进入下一工序。检测不合格的 ，进行返工或者废弃处理。

需要注意！在实际生产中，晶圆边缘会切割出平角（Flat）或缺口（Notch） ，以便于后续工序中的定位和晶向确定 。另外 ，在晶圆的反面边缘
，也会打上序号标签 ，方便物料跟踪。

关于晶圆的常见问题

好啦，晶圆已经制备完成了 。接下来，我们回答几个关于晶圆的常见问题
。

问题1：晶圆的尺寸有多大？

经过处理得到的成品晶圆
，有多种尺寸规格，例如
：2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、5英寸（125mm） 、6英寸（150mm） 、8英寸（200mm）
、12英寸（300mm）等 。

小尺寸晶圆

其中，8英寸和12英寸，最为常见 。

晶圆的厚度 ，必须严格遵循SEMI规格等标准 
。例如 ，12英寸晶圆的厚度，通常控制在775μm±20μm（微米）范围内，也就是0.775毫米左右。

晶圆尺寸越大，每片晶圆可制造芯片数量就越多
，单位芯片成本就越低。

以8英寸与12英寸硅片为例。在同样工艺条件下 ，12英寸晶圆可使用面积超过 8英寸晶圆两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产芯片数量的指标）是8英寸硅片的2.5倍左右
。

但是，尺寸越大，就越难造，对生产技术、设备 、材料 、工艺要求就越多。

12英寸，可以在收益和难度之间维持一个比较好的平衡。

问题2 ：晶圆为什么是圆的
 ？

首先
，前面说了，拉单晶拉出来的，就是圆柱体
，所以，切割后，就是圆盘 。

其次 ，圆柱形的单晶硅锭 ，更便于运输 ，可以尽量避免因磕碰导致的材料损耗。

第三，圆形晶圆在制造过程中，更容易实现均匀加热和冷却 ，减少热应力，提高晶体质量 。

第四 ，晶圆做成圆的，对于芯片的后续工艺
，也有一定帮助 
。

第五 ，是面积利用率上有优势。后面我们会介绍，晶圆上面会制作很多芯片。芯片确实是方的。从道理上来说，好像晶圆是方的，更适合方形的芯片（边缘不会有浪费）。

但事实上  ，即便是做成了“晶方”，一些边缘仍然是不可利用的。计算数据表明 ，圆形边缘比方形浪费更少 。

问题3：晶圆一定是硅材料吗？

不一定。

不只有硅能做成晶圆
。目前，半导体材料已经发展到第四代。

第一代半导体材料以 Si（硅） 
 、Ge（锗）为代表
。第二代半导体材料以 GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）为代表。第三代半导体材料以 GaN（氮化镓） 、SiC（碳化硅）为代表。第四代半导体材料以氮化铝（AlN）
、氧化镓（Ga2O3）、金刚石（C）为代表 。

不过，目前仍有90%以上芯片需使用半导体硅片作为衬底片 。因为它拥有优异的半导体性能、丰富的储量及成熟的制造工艺
。

关于晶圆制备，今天就介绍到这里
。